细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
碳化硅块体碳化硅块体碳化硅块体
燕山大学田永君院士团队成功研发新型超硬材料——纳米晶
2022年5月13日 田永君院士团队高国英教授、徐波教授通过高温高压烧结纳米颗粒制备出了纳米晶立方碳化硅块体，根据烧结条件，这些立方碳化硅块体被致密地烧结，平均晶粒 2024年6月7日 步骤；准备材料：选择适当的碳化硅粉末，选取粒径范围为01?10微米的高纯度碳化硅粉末，选择适当的掺杂剂粉末；混合材料：将碳化硅粉末与掺杂剂粉末混合 碳化硅陶瓷制造新技术工艺配方精选汇编 百家号
自蔓延合成 βSiC 粉制备碳化硅陶瓷
2017年12月5日 通过对比三组不同烧结助剂配方对烧成品致密的影响,并结合样品的显微结构和相组成分析表征,研究了陶瓷微观形态与表观性能的关系。 实验结果表明:烧结助剂B含 2021年10月25日 本 发明 提供一种大尺寸 块 体 碳 化 硅 陶瓷的成型方法，包括如下步骤：步骤11、将碳化硅粉末装入模具；步骤12、对模具内的碳化硅粉末做振动排气处理； 一种大尺寸块体碳化硅陶瓷的成型方法专利检索靠作用于模
从头算计算的立方碳化硅块体和纳米线的热导率
2017年2月1日 摘要 在这项工作中，我们在局部密度近似 (LDA) 中使用密度泛函理论 (DFT) 的平面波赝势方法来预测 α碳化硅 (SiC) 的结构、弹性、热和热力学性质。 使用 Slack 卤化物激光化学气相沉积法快速制备高取向碳化硅块体材料 采用卤化物激光化学气相沉积法 (HLCVD),以SiCl4,CH4和H2为原料,在石墨基底上快速制备了高取向的SiC块体材料,重点 卤化物激光化学气相沉积法快速制备高取向碳化硅块体材料
纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法 百度学术
2021年12月21日 摘要： 本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm,维氏硬度等于或高于40GPa该制备方法包括以 近年来已发现的碳化硅多型体数目急剧增加,目前已达七十二种 碳化硅的晶体结构有着独特的规律 已确定结构的二十多种多型体中,属于两种晶体结构系列(3332)3和(3334)3 碳化硅的多型性——38种SiC新多型体
核用碳化硅连接的尺度效应研究中取得进展—论文—科学网
2017年1月4日 碳化硅及其复合材料（Silicon carbide and its composite material，SiC and SiC based composite）以其低中子吸收截面、良好的抗辐照性能、高温稳定性好以及优异 碳化硅（SiC）的密度范围约为 321 至 322 克/立方厘米（g/cm 3），其高密度特性加上出色的硬度、导热性和抗热震性，使碳化硅成为各种高要求应用的理想材料。碳化硅密度探索：意义与应用
碳化硅SiC块体材料阿里巴巴
阿里巴巴碳化硅SiC块体材料，其他无机非金属材料，这里云集了众多的供应商，采购商，制造商。这是碳化硅SiC块体材料的详细页面。产品名称:碳化硅块体，品牌:中铭富驰，是否危险化学品:否，是否进口:否。咨询请联系客服！采用卤化物激光化学气相沉积法 (HLCVD),以SiCl4,CH4和H2为原料,在石墨基底上快速制备了高取向的SiC块体材料,重点研究了沉积压力和沉积温度对SiC材料取向,微观结构,沉积速率和硬度的影响研究表明在低压下 (24 k Pa)得到取向的SiC,在中等压力下 (6 k Pa)得到随机取向 卤化物激光化学气相沉积法快速制备高取向碳化硅块体材料
粉体百科：碳化硅纳米线百科资讯中国粉体网
2024年5月13日 碳化硅纳米线（SiCNWs）就是一种一维材料。碳化硅纳米线直径一般小于500nm、长度可达上百μm，比碳化硅晶须有更高的长径比。碳化硅纳米线在继承了碳化硅块体材料所拥有的各种力学性能的基础上，还拥有许多低维材料独有的性质。 单根SiCNWs的 2020年7月17日 啃下高端光刻机块硬骨头：碳化硅超精密运动平台实现国产化 导读：本文的碳化硅超精密移动平台，它是光刻机的核心组件之一，其主要功能是承载晶圆按照指定的运动轨迹做高速超精密运动并完成一系列曝光所需动作，要求在高速运动的情况下需要达 啃下高端光刻机块硬骨头：碳化硅超精密运动平台实现
开云登录入口登录(官方)APP下载安装IOS/安卓通用版/
2024年5月13日 铸钢件高温情况下易变形，耐磨性下降，易磨损，易腐蚀，使用寿命短。 燃烧器碳化硅喷嘴使用温度最高1500℃，不变形，热震性好。 铸钢件长期高温环境下，喷嘴易腐蚀变形，降低燃烧效率。 一体浇注成型，热震性好，在高温加热到1100℃浸入20℃水中 碳化硅单晶生长步，要纯! 2024/02/28 点击 3241 次 中国粉体网讯 近年来，制备高纯SiC粉料逐渐成为SiC单晶生长领域的研究热点。生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，杂质含量应至少低于0001%，此外，碳化硅粉料的各项参数都直接影响 碳化硅单晶生长步，要纯!中国纳米行业门户
一种大尺寸块体碳化硅陶瓷的成型方法 X技术网
2023年4月29日 19本发明提供一种大尺寸块体碳化硅 陶瓷的成型方法，包括如下步骤： 20步骤11、将碳化硅粉末装入模具；其中，所述模具的高度在70250mm，长度在150650mm，宽度在150650mm；21步骤12、对模具内的碳化硅粉末在振动台上做振动排气处 2020年8月21日 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。 当前国外主要厂商包括Cree、Aymont等 高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学
进口碳化硅块体 SiC上海岩投新材料科技有限公司
碳化硅块广泛应用于高温环境下的散热器、封装材料、高温窑炉和其他高温工艺中。其高硬度和热导率使其成为高温耐磨和散热材料的理想选择。此外，碳化硅块还可以用于制备陶瓷刀具、研磨材料和其他特殊工艺中的耐磨部件。 项目 体积密度 g/cm3 电阻率 Ω・cm 线膨胀系数 (×107)/℃ 热传导率 W/m 2022年10月20日 英罗唯森在借鉴国外先进技术以及中科院上硅所的大力支持下于2021年成功克服碳化硅块孔的关键技术 1 完全符合cGMP要求，适用于医药行业洁净要求。 2 灵活的设计，适用于各种换热要求。 3 易于快速清洗和泄漏探测系统。 4 石墨块孔式换热器升级 碳化硅块孔式器无锡英罗唯森科技有限公司
碳化硅单晶生长步，要纯!要闻资讯中国粉体网
2024年2月28日 碳化硅单晶生长用高纯SiC粉料，其合成有哪些因素影响？ 中国粉体网讯 近年来，制备高纯SiC粉料逐渐成为SiC单晶生长领域的研究热点。生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，杂质含量应至少低于0001%，此外，碳化硅粉料的各项参数都直接影响单晶生长的质量以及电学性能。摘要： 研究了轻型碳化硅质反射镜坯体制造技术,讨论了制备工艺中的关键环节提出了一种先进的消失模技术用于制备性能更加优异的背部半封闭式轻量化结构针对制备大尺寸复杂形状陶瓷的难点,研究了SiC陶瓷素坯凝胶注模成型及成型过程中高固相含量低黏度 轻型碳化硅质反射镜坯体的制造工艺 百度学术
一种体块碳化硅单晶内部应力检测方法
2022年5月18日 6为实现上述目的，本发明提供了如下方案： 7一种体块碳化硅单晶内部应力检测方法，包括： 8将待检测的体块sic单晶样品表面进行定向操作，获取sic样品表面的晶面； 9对获取的所述sic样品表面的晶面进行中子衍射测试，得到测试结果； 10将所述测试 2024年3月14日 河南“长”出首块8英寸碳化硅晶锭丨高质量发展调研行 今年的政府工作报告指出：充分发挥创新主导作用，以科技创新推动产业创新。 日前，在位于平顶山的河南电子半导体产业园，碳化硅半导体实验室成功生长出8英寸碳化硅单晶晶锭，填补了省内空白。 河南“长”出首块8英寸碳化硅晶锭丨高质量发展调研行大河网
立方碳化硅弹性磨块制备工艺、性能与应用
摘要： 应用立方碳化硅新材料做主磨料,采用热压工艺制备新型立方碳化硅弹性磨块,用静水力学天平、巴氏硬度计、XRD、SEM等测试材料的组织、结构及性能,并在应用现场进行了工业实验研究结果表明:磨块中立方碳化硅的质量分数为85％,热压机上板温度160℃、下 为加强碳化硅陶瓷行业上下游交流联动，艾邦建有碳化硅陶瓷产业群，欢迎产业链上下游企业扫码加入。 碳化硅粉体主要类型有：碳化硅陶瓷件超高纯粉体、第三代半导体碳化硅单晶专用的多晶粉体（包括导电型和半绝缘型），还有热管理材料导热填料。从粉体到结构件，看碳化硅陶瓷的实际应用 艾邦半导体网
碳化硅块体如何粉碎 抖音
2024年3月22日 您在查找碳化硅块体如何粉碎吗？抖音综合帮你找到更多相关视频、图文、直播内容，支持在线观看。更有海量高清视频、相关直播、用户，满足您的在线观看需求。2023年11月23日 2、碳化硅粉体化学改性方法 化学改性是指利用有机物分子中的官能团与无机颗粒表面发生化学吸附或通过与颗粒表面发生化学键合反应对颗粒表面进行包覆，使颗粒表面有机化。 根据改性的手段和效果可以将化学改性方法分为：表面酸洗提纯、表面吸附 「技术」碳化硅粉体表面改性方法及研究进展
知乎专栏
客服一 碳化硅块体材料 中铭富驰是一家集研发、生产、销售为一体的高新技术企业。 公司主营纳米新材料，纳米粉体，耐火材料，航空航天相关设备，芯片,电子陶瓷，精密先进陶瓷部件。 机械零件，零部件加工，金属表面处理及热处理加工，材料的检验 碳化硅块体材料 中铭富驰
纳米碳化硅的制备方法及其在复合材料领域的应用粉体资讯
2015年8月21日 小结：纳米碳化硅材料不单是指纳米微粉，还有碳化硅纳米线（可以简单理解为纳米级的碳化硅晶须）。碳化硅纳米线的弹性、硬度、韧性等机械性能都比碳化硅块体、碳化硅晶须要高。一维纳米结构的碳化硅极有希望成为陶瓷、金属、聚合物基材料的增强剂。2024年2月18日 中国粉体网讯 近日，据河南日报消息，平煤神马集团碳化硅半导体实验室成功生长出 河南省块8英寸碳化硅单晶晶锭 ，全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。 平煤神马集团党委书记、董事长李毛现场察看八英寸碳化硅单晶 中 平煤神马：成功生长出8英寸碳化硅单晶晶锭！ 中国粉体网
碳化硅粉料 其他
纯度高达999995% 颗粒度均匀 成本和质量领先 以高纯碳粉、高纯硅粉为原料通过高温固相反应合成碳化硅块体，通过破碎、拆分、清洗等步骤，获得一定颗粒度的高纯导电型碳化硅粉料，粉料纯度大于999995%。2020年1月19日 碳化硅超细粉体材料由于颗粒尺寸的微细化，使它的许多物理、化学性能产生了特殊变化，人们将这些性能应用在化工、轻工、冶金、电子、高技术陶瓷、复合材料、核技术、生物医学以及国防尖端技术领域，大大推进了这些领域的发展，可以说超细粉体材料正通化市碳化硅（SiC）超细粉体对外合作项目招标项目资讯
河南“长”出首块8英寸碳化硅晶锭丨高质量发展调研行
2024年3月14日 河南广电大象新闻记者 屈丰：那个8英寸的碳化硅晶锭对于我们公司的意味着一个什么呀？ 河南中宜创芯发展有限公司技术总监 杨正宏：代表我们公司的粉体完全能够达到世界上先进的一流方阵，8英寸晶体的一个原料的需求。2024年5月13日 碳化硅纳米线在继承了碳化硅块体材料所拥有的各种力学性能的基础上，还拥有许多低维材料独有的性质。 单根SiCNWs的杨氏模量约为610~660GPa；抗弯强度可达534GPa，约为碳化硅晶须的两倍；拉伸强度超过14GPa。粉体百科：碳化硅纳米线百科资讯中国粉体网
一种降低碳化硅单晶内部碳包体缺陷密度的方法与流程 X技术网
2021年7月20日 c）将碳化硅多晶多孔块体去除残余碳。d）将去除残余碳的碳化硅多晶多孔块体放置于坩埚中碳化硅粉体上部，使碳化硅粉体和坩埚顶部的碳化硅籽晶相隔离。e）采用物理气相传输法制备碳化硅单晶。优选的，步骤a中，碳化硅单晶粒的粒度为100500μm。2017年1月4日 中国科学院宁波材料技术与工程研究所核能材料团队与表面技术团队合作，通过FAST瞬态产生的等离体子体加热样品，实现了碳化硅块体的连接。 研究发现，高电流或高场强条件下，复合材料的连接具有局部烧结机制，温度分布只局限在界面附近，可有效控 核用碳化硅连接的尺度效应研究中取得进展—论文—科学网
闫永杰博士：大尺寸、复杂形状碳化硅陶瓷产业化及其化工换
2018年8月14日 如果你想进一步探索“梦想型”换热材料碳化硅陶瓷的更多内容，那您一定不能错过将于9月1517日在河南开封举办的“2018年全国碳化物粉体与陶瓷制备技术交流会”，届时，我们将邀请中科院上海硅酸盐研究所闫永杰副研究员为大家分享题为“大尺寸、复杂形状 2017年2月1日 我们对体 SiC 的 BTE 计算与已知的实验结果非常吻合，我们还对纳米线形式的 SiC 的情况进行了预测。 这项研究表明需要包括法向声子散射和边界散射来评估低温下的热导率，并且与 BTE 预测的值相比，Slack 模型预测的低温热导率更高这一事实证明了这一点从头算计算的立方碳化硅块体和纳米线的热导率
纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法 百度学术
2021年12月21日 摘要： 本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm,维氏硬度等于或高于40GPa该制备方法包括以下步骤:A)预处理:称取一定质量的碳化硅纳米粉,酸洗处理,水稀释至接近中性后取出烘干;B)预压成型:将A)预处理后的原料进行预压,得到预压坯体;C 知网空间 会议论文，毕业论文，论文下载，免费论文 全球
浅谈碳化硅粉体整形工艺 粉体资讯粉体圈 360powder
2016年9月22日 整个过程通过调整各个工艺参数，一方面保证粉体颗粒不破碎，另一方面通过研磨慢慢把碳化硅粉体颗粒的不规则部分磨掉。 2、氧化腐蚀结合研磨工艺 这种工艺原理：先通过高温把碳化硅颗粒的不规则的部分先进行氧化处理，然后再用机械研磨技术采用适当 2020年1月19日 碳化硅超细粉体材料由于颗粒尺寸的微细化，使它的许多物理、化学性能产生了特殊变化，人们将这些性能应用在化工、轻工、冶金、电子、高技术陶瓷、复合材料、核技术、生物医学以及国防尖端技术领域，大大推进了这些领域的发展，可以说超细粉体材料正通化市碳化硅（SiC）超细粉体对外合作项目中粉先进陶瓷
一种降低碳化硅单晶内部碳包裹体缺陷密度的方法 豆丁网
2023年11月13日 CN一种降低碳化硅单晶内部碳包裹体缺陷密度的方法技术领域 [0001]本发明涉及碳化硅单晶制备技术领域，具体是一种降低碳化硅单晶内部碳包裹体缺陷密度的方法。 背景技术 [0002]碳化硅单晶是制备射频功率器件、高压电力电子器件的新型第三 2015年7月27日 以下是全球碳化硅生产企业概况： 1Electro 磨料 公司是一家碳化硅加工厂。 该公司位于纽约布法罗，从事水力分选黑色、绿色碳化硅粉料的生产。 他们生产的碳化硅含量为98%的粗、细粉,用于磨料、耐火材料及其它行业。 2Superior 石墨 有限公司是生产β 碳化硅出口状况分析及全球碳化硅生产企业概况粉体资讯
20232024中国碳化硅市场年度报告中粉资讯粉材价格指数平台
2024年1月8日 6月7日绿碳化硅微粉(2500#（半导体研磨、抛光用）)报价 6月7日绿碳化硅微粉(F240(反应烧结用）)报价 cnpowder 平台导航 中国粉体网 搜粉网 粉体展 粉体人才网 粉体工业杂志 微门户 粉体网 粉体圈子 粉体公开课 粉享买卖 中粉资讯阿里巴巴碳化硅SiC块体材料，其他无机非金属材料，这里云集了众多的供应商，采购商，制造商。这是碳化硅SiC块体材料的详细页面。产品名称:碳化硅块体，品牌:中铭富驰，是否危险化学品:否，是否进口:否。咨询请联系客服！碳化硅SiC块体材料阿里巴巴
卤化物激光化学气相沉积法快速制备高取向碳化硅块体材料
采用卤化物激光化学气相沉积法 (HLCVD),以SiCl4,CH4和H2为原料,在石墨基底上快速制备了高取向的SiC块体材料,重点研究了沉积压力和沉积温度对SiC材料取向,微观结构,沉积速率和硬度的影响研究表明在低压下 (24 k Pa)得到取向的SiC,在中等压力下 (6 k Pa)得到随机取向 2024年5月13日 碳化硅纳米线（SiCNWs）就是一种一维材料。碳化硅纳米线直径一般小于500nm、长度可达上百μm，比碳化硅晶须有更高的长径比。碳化硅纳米线在继承了碳化硅块体材料所拥有的各种力学性能的基础上，还拥有许多低维材料独有的性质。 单根SiCNWs的 粉体百科：碳化硅纳米线百科资讯中国粉体网
啃下高端光刻机块硬骨头：碳化硅超精密运动平台实现
2020年7月17日 啃下高端光刻机块硬骨头：碳化硅超精密运动平台实现国产化 导读：本文的碳化硅超精密移动平台，它是光刻机的核心组件之一，其主要功能是承载晶圆按照指定的运动轨迹做高速超精密运动并完成一系列曝光所需动作，要求在高速运动的情况下需要达 2024年5月13日 铸钢件高温情况下易变形，耐磨性下降，易磨损，易腐蚀，使用寿命短。 燃烧器碳化硅喷嘴使用温度最高1500℃，不变形，热震性好。 铸钢件长期高温环境下，喷嘴易腐蚀变形，降低燃烧效率。 一体浇注成型，热震性好，在高温加热到1100℃浸入20℃水中 开云登录入口登录(官方)APP下载安装IOS/安卓通用版/
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2024年2月28日 中国粉体网讯 近年来，制备高纯SiC粉料逐渐成为SiC单晶生长领域的研究热点。 生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，杂质含量应至少低于0001%，此外，碳化硅粉料的各项参数都直接影响单晶生长的质量以及电学性能。 碳化硅单晶生长工艺路线 2023年4月29日 19本发明提供一种大尺寸块体碳化硅 陶瓷的成型方法，包括如下步骤： 20步骤11、将碳化硅粉末装入模具；其中，所述模具的高度在70250mm，长度在150650mm，宽度在150650mm；21步骤12、对模具内的碳化硅粉末在振动台上做振动排气处 一种大尺寸块体碳化硅陶瓷的成型方法 X技术网
高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学
2020年8月21日 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。 当前国外主要厂商包括Cree、Aymont等 碳化硅块广泛应用于高温环境下的散热器、封装材料、高温窑炉和其他高温工艺中。其高硬度和热导率使其成为高温耐磨和散热材料的理想选择。此外，碳化硅块还可以用于制备陶瓷刀具、研磨材料和其他特殊工艺中的耐磨部件。 项目 体积密度 g/cm3 电阻率 Ω・cm 线膨胀系数 (×107)/℃ 热传导率 W/m 进口碳化硅块体 SiC上海岩投新材料科技有限公司
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2022年10月20日 英罗唯森在借鉴国外先进技术以及中科院上硅所的大力支持下于2021年成功克服碳化硅块孔的关键技术 1 完全符合cGMP要求，适用于医药行业洁净要求。 2 灵活的设计，适用于各种换热要求。 3 易于快速清洗和泄漏探测系统。 4 石墨块孔式换热器升级
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