细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
碳热还原合成碳化硅
碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟 百度学术
碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟 为揭示碳化硅合成过程中能量及物质扩散机理,从而为碳化硅的提质增产奠定理论基础,采用数值模拟的方法对碳化硅合成过程中的温度场,压力场, 2020年7月3日 摘要： 探究了不同碳源对以硅微粉为原料通过碳热还原法制备碳化硅粉体的影响，采用FactSage软件对制备SiC的反应过程进行了热力学计算，得出理论反应起始 不同碳源对硅微粉制备碳化硅的影响
纳米碳化硅的制备与应用研究进展
2023年9月20日 用HRTEM 透射电镜和FTIR 红外光谱对碳热还原法制备的纳米碳化硅进行表征。 结果表明，在820~880 cm −1 处有强吸收峰，证明为βSiC 的伸缩振动，其次材 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术和应用进行系统 碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
硅藻土碳热还原反应制备碳化硅,Journal of Materials Science
2007年3月28日 在本文中，研究了使用硅藻土作为 Si 前驱体通过碳热还原反应低温合成碳化硅 (SiC) 的可能性。 使用塞尔维亚来源的硅藻土和作为还原剂的炭黑。 具有恒定 2017年9月11日 本文以酚醛树脂和硅藻土为原料、以硝酸铁为催化剂前驱体、通过催化碳热还原反应的方法制备SiC粉体,研究反应温度、催化剂用量和反应时间等因素对合成SiC粉体的影响以及使用纳米Fe催化SiO 2 生成SiC Fe催化硅藻土碳热还原反应制备3CSiC及其机理
合成温度对碳热还原法合成碳化硅晶须形貌的影响 百度学术
以SiO2微粉为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法分别在1500℃、1550℃、1600℃制备了SiC晶须。 通过扫描电镜,电子探针和透射电镜等分析手段,研究了合成温度 2009年11月11日 碳化硅纳米线已在 1400 摄氏度下通过二氧化硅与竹炭在常压下无金属催化剂的碳热还原合成。X射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散光谱、透射电子显微镜和 通过二氧化硅的碳热还原合成碳化硅纳米线及其光致发光性能
碳热还原法低温制备碳化硅微粉 百度学术
碳热还原法低温制备碳化硅微粉 以SiO2为硅源,炭黑为碳源,Fe2 O3为催化剂,采用碳热还原法在氩气保护下制备SiC微粉,研究催化剂含量,合成温度对SiC生成,形貌的影响实验结果表明:在原料中添加Fe2 O3粉,1350℃保温3h就能产生SiC微粉;由X射线衍射分析显示,在1450℃下保温 2020年7月20日 碳化硅粉体制备工艺有多种，各种合成方法中碳热还原法所需的原料价格较低、生产的产品质量合格率较高、可以大批量的生产，在碳化硅的制备领域占据着重要地位。 碳化硅粉体的制备方法有多种，按初始原料的物质状态大致可分为固相法、液相法和气相法 碳化硅的制备方法
碳化硅的制备及应用最新研究进展 ResearchGate
2022年5月20日 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机 械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对 SiC 粉体的制备、碳化硅2009年11月11日 碳化硅纳米线已在 1400 摄氏度下通过二氧化硅与竹炭在常压下无金属催化剂的碳热还原合成。X射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散光谱、透射电子显微镜和傅里叶变换红外光谱被用来表征碳化硅纳米线。结果表明碳化硅纳米线具有核壳结构并沿方 通过二氧化硅的碳热还原合成碳化硅纳米线及其光致发光性能
合成温度对碳热还原法合成碳化硅晶须形貌的影响 百度学术
以SiO2微粉为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法分别在1500℃、1550℃、1600℃制备了SiC晶须。 通过扫描电镜,电子探针和透射电镜等分析手段,研究了合成温度对SiC晶须形貌的影响,探讨了晶须的生长机理。 结果表明:当合成温度为1500℃时,所合成 2016年2月19日 各种类型的二氧化硅/碳（SiO 2 / C）复合材料的磁热还原已经常用于合成硅/碳（Si / C）复合材料和碳化硅（SiC）材料，这些材料在锂的研究领域中非常重要离子电池（LIB）和非金属氧化物陶瓷。然而，到目前为止，尚未完全理解如何通过镁热还原由组成相同的母体材料（SiO 2 / C）产生完全不同的Si或 结晶相的变化：通过使用二氧化硅/碳复合材料的镁热还原来
高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学
2020年8月21日 一、SiC粉体合成方法 SiC粉体的合成方法多种多样，总体来说，大致可以分为三种方法。 种方法是固相法，其中具有代表性的有碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法;第二种方法是液相法，其中具有代表性的方法主要是溶胶—凝胶法和聚合物热 2015年5月1日 摘要 提出了一种改进的溶胶凝胶法制备碳化硅超细粉体。在该方法中，四乙氧基硅烷 (TEOS) 和蔗糖用于制备二元碳质硅干凝胶，硝酸铁在溶胶凝胶工艺中用作催化剂。溶胶凝胶和碳热还原法合成和表征碳化硅超细颗粒,Ceramics
无定形二氧化硅制备碳化硅粉体及其合成机理研究,Minerals
2024年2月11日 本研究提出了一种通过碳热还原工艺从镍铁渣酸浸渣中制备碳化硅（SiC）的创新工艺。结果表明，酸浸渣无定形二氧化硅含量高达8420%，粒径细小，d50 = 2916 μm，是制备SiC的理想硅源。与炭黑、活性炭、石墨相比，焦炭是更适合制备SiC的碳 碳化硅的合成方法主要是碳热还原法：碳热还原法合成SiC的主要原料是SiO2和C总反应方程式如下：SiO2(s)+3C(s)→SiC(s)+2CO(g)。Guterl等[4]认为反应分两步进行先是固态SiO2和固态C反应生成气态SiO和CO，接着气态SiO再和固态C反应生成固态SiC和气态 碳化硅百度文库
科学网—溶胶凝胶和碳热还原制备小米碳化硅 郭向云的博文
2008年6月23日 溶胶凝胶和碳热还原制备小米碳化硅 在炭化时将小米在瓷舟里分散铺开后，果然就解决了炭化后颗粒粘成一块儿的问题，成功得到了强度比较好的颗粒状碳模板。 接下来就是将事先制备好的硅溶胶渗透或者说填充到碳模板中，让它们在高温下发生碳热还原 2004年5月14日 其中凝胶碳热还原是 制备碳化硅纳米材料的常用方法， 已有很多这方面的 报道。孟国文等用正硅酸乙酯和蔗糖为原料，通过碳 热还原含碳纳米颗粒的二氧化硅凝胶制备了纳米结 构的碳化硅 [4]。CHLiang 等用嵌入纳米铁颗粒的介 孔二氧化硅合成了 SiC 纳米线碳化硅纳米纤维的溶胶凝胶法合成 百度文库
碳热还原法百度百科
碳热还原法是一种能降低生产成本和颗粒大小，提高产物纯度和电导率的新型制备方法。PPProsini等以(NH4)2Fe(SO4)2和NH4H2PO4为原料首先合成FePO4，然后用LiI还原三价Fe，并在 还原性气氛 下（Ar:H2=95:5）于550℃加热1 h后合成了最终样品，其在01C倍率下的室温初始放电容量为140 mAhg1。碳化硅 (Si C)纳米材料用作吸波材料具有密度低,热传导率高,机械性能好,热膨胀系数低和化学稳定性好等特性,其不仅在隐身战机领域有重要的位置,也在民用方面应用很广,随着科学技术的发展,对其有了更高的要求但目前纳米线材料的制备在系统研究和纳米线形貌 碳化硅纳米线的制备及吸波性能研究 百度学术
使用碳包覆气相二氧化硅合成 β 碳化硅粉末,Journal of
1998年5月1日 研究了通过碳包覆二氧化硅和与炭黑混合的二氧化硅的碳热还原合成β碳化硅（βSiC）粉末。使用碳包覆二氧化硅生产 βSiC 粉末包括两个步骤。步是通过碳氢化合物气体 (C3H6) 的热裂解用碳包覆气相法二氧化硅颗粒来制备碳包覆二氧化硅前体。3 天之前 渭南师范学院的王冬华 [11] 利用HRTEM透射电镜和FTIR红外光谱对碳热还原法制备的纳米碳化硅进行表征。 结果表明，在820~880 cm −1 处有强吸收峰，证明为βSiC的伸缩振动，其次材料具有晶体结构，晶格间距为025 mm这与βSiC的(111)面的晶格间距相相同。纳米碳化硅的制备与应用研究进展 汉斯出版社
原料粒度对合成碳化硅的影响研究 CIP
2020年7月20日 以轮胎半焦为碳源，石英砂为硅源，在1520℃下通过碳热还原法制备了碳化硅。 采用XRD、SEM和红外光谱仪等对不同原料粒度条件下制备的碳化硅进行了表征，探究了原料粒度对合成碳化硅物相、形貌、粒度和反应程度的影响规律。基于碳热还原法制备碳化硅的原理,针对该方法合成成本高,反应时间长,所用设备昂贵,合成条件苛刻等缺陷利用微波的良好加热性能,采用微波辅助碳热还原法制取碳化硅粉体经实验表明,最优条件为:锌粉作催化剂,碳硅原子比为4:1,微波功率800W,微波时间30min该方法 微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体 百度学术
知乎专栏
2015年1月13日 《1 前言》 1 前言 氮化硅（Si 3 N 4 ）是一种完全致密的、高强度、高韧度的高级陶瓷材料，尤以其良好的高温性能得到广泛关注。 高温下的Si 3 N 4 具有高强度、高硬度、抗蠕变、抗氧化和抗热冲击等优良性能。 合成氮化硅的主要途径有3种：金属级 温度对碳热还原/氮化法合成氮化硅的影响 工程 CAE
硅藻土碳热还原反应制备碳化硅,Journal of Materials Science
2007年3月28日 在本文中，研究了使用硅藻土作为 Si 前驱体通过碳热还原反应低温合成碳化硅 (SiC) 的可能性。 使用塞尔维亚来源的硅藻土和作为还原剂的炭黑。 具有恒定 C/SiO2 比 (C/Si = 4) 的生坯在 1,250 °C 和 1,550 °C 之间的温度下使用受控的 Ar 流气氛加热。2016年9月26日 碳化硅具有熔点高、硬度高、高温强度大、抗蠕变性能好、热膨胀系数小及热传导率高等优点, 因而在陶瓷、复合材料、耐磨材料及催化等领域有着广泛应用前景。碳化硅的工业制备方法主要采用艾奇逊法, 该法以石英砂和石油焦为主要原料, 具有原料来源广、成本低等优点。但是, 该方法存在反应 微波加热催化反应低温制备βSiC粉体
碳化硅微粉的低温合成与制备 百度学术
摘要： 以硅溶胶为硅源,淀粉为碳源,采用低温碳热还原法合成了SiC微粉实验结果表明:淀粉热解得到的碳颗粒和硅溶胶中的SiO2能形成较好的包覆,增大了接触面积,促进了反应的进行在1700℃下反应1h,反应前驱体全部转化为βSiC,产物为SiC颗粒和纳米棒的混合物升高反应温度和延长反应时间都能显著增加 碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟 为揭示碳化硅合成过程中能量及物质扩散机理,从而为碳化硅的提质增产奠定理论基础,采用数值模拟的方法对碳化硅合成过程中的温度场,压力场,气体流动规律进行模拟研究结果表明,随着合成时间的延长,炉内热量呈辐射状向 碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟 百度学术
高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述
2020年3月24日 本文主要针对PVT法生长单晶用高纯SiC粉体的合成工艺方法进行了阐述。 一、SiC粉体合成方法 SiC粉体的合成方法多种多样，总体来说，大致可以分为三种方法。 种方法是固相法，其中具有代表性的有碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法；第 2017年12月31日 溶胶凝胶和碳热还原法制备高比表面积碳化硅docx,－王冬华（渭南师范学院化学化工系，渭南 ）摘 要 采用糠醇、正硅酸乙酯作为碳源、硅源，在溶 胶－凝胶过程中加入硝酸钴为催化剂，含氢硅油为结构助剂，通过碳热还原的方法制备出高比表面积 溶胶凝胶和碳热还原法制备高比表面积碳化硅docx
碳化硅的制备及应用最新研究进展 hanspub
2022年5月20日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 碳化硅百度百科
镁热还原法制备介孔碳化硅/碳复合材料及其超级电容器特性
超级电容器作为一种高效,绿色环保的化学电源倍受人们关注在超级电容器研究中,开发高比容的电极材料具有重要的应用价值和理论意义碳化硅材料作为一种半导体材料具有宽带隙,耐腐蚀,化学稳定性好,热导率大等优点,可作为超级电容器的电极材料有序介孔碳 2018年5月12日 以葡萄糖粉剂为碳源，沉淀白炭黑为硅源，磷酸为掺杂源，通过碳热还原法制备了磷掺杂碳化硅（SiC）。 并利用X射线衍射仪、紫外可见吸收光谱仪、扫描电子显微镜、比表面积测试仪等对不同合成温度、不同掺杂浓度下所制备样品物相组成、微观形貌以及性质进行了表征。磷掺杂碳化硅的制备及其影响因素《武汉工程大学学报》
颠覆性技术！中国青年科学家联手，把“废塑料”变成“香饽饽
2024年3月2日 在采用闪蒸碳热还原（FCR）工艺之前，先将废弃的 GFRP 和 CFRP 研磨成微米大小的粉末（图 1a）。 SiC的相控合成 碳化硅的结构因硅原子和碳原子的排列而异，这在很大程度上影响了它的特性和应用性能。 例如，与 6HSiC 相比，3CSiC 具有更小的 2016年1月18日 16材料导报008年月第卷第期碳化硅微粉的低温合成与制备”王福，曹文斌，孙加林，何荣亮北京科技大学材料科学与工程学院无机非金属材料系，北京摘要以硅溶胶为硅源，淀粉为碳源，采用低温碳热还原法合成了SiC微粉。实验结果表明：淀粉热解得到的碳颗粒和硅溶胶中的Si0能形成较好的 碳化硅微粉的低温合成与制备 道客巴巴
铁矿石尾矿合成碳化硅粉末 豆丁网
2014年10月13日 碳热还原法是最经济、最具有前途的SiC粉末的合成方法。碳热还原法合SiC的主要原料是SiO2C，总反应方程式如下：解释有多种不同的说法，其中有两种机理被大多数人所接受。2016年3月16日 Llnf、t2013年9月第47卷增刊2碳化硅粉体合成技术研究进展山东诸城摘要：高纯超细的碳化硅粉体是制备高性能碳化硅器件的重要前提。 目前工业生产中普遍采用的碳化硅粉体合成方法是碳热还原法。 随着胶体化学、大功率激光器和热等离子体 碳化硅粉体合成技术研究进展 豆丁网
不同颜色碳化硅纳米线的合成及光致发光性能,Journal of
2020年11月1日 摘要 采用溶胶凝胶碳热还原法合成了不同颜色（绿色、蓝色和白色）的碳化硅纳米线（SiC NWs）。通过多种表征方法研究了碳化硅纳米线的化学成分和形貌。它表明绿色和蓝色产品都是 3CSiC NW，白色产品是 SiC/SiO2 电缆结构 NW。研究了原料的 2012年12月1日 溶胶凝胶法合成碳化硅的形貌与反应机理靳国强中国科学院山西煤炭化学研究所煤转化重点 显著差异的原因显然与前躯体的化学组成和结构有关为了便于分析和讨论我们首先简单探讨碳热还原的反应机理3碳化硅纳米线的TEM图片31热 还原反应 溶胶凝胶法合成碳化硅的形貌与反应机理 豆丁网
碳化硅粉体低温合成工艺以及二氧化硅为主的烧结相晶型转变
本文主要研究了碳化硅粉体低温合成工艺以及二氧化硅烧结相晶型转变工艺对实验结果进行X射线衍射分析,采用扫描电子显微镜(SEM)对所得样品的尺寸与形貌进行表征以SiO2为硅源,炭黑为碳源,Fe2O3,Fe(NO3)3,Na2SiO3为催化剂在氩气气氛保护下采用碳热还原综上所述，碳热还原法、化学气相沉积法、溶胶凝胶法和焙烧法都是常见的碳化硅制备方法。 这些方法的选择与具体的应用场景和材料性能有关。 未来，随着制备技术的不断进步，碳化硅的制备方法也将逐步改进，并能满足更加广泛的需求。碳化硅制备方法百度文库
碳热还原法低温制备碳化硅微粉 百度学术
碳热还原法低温制备碳化硅微粉 以SiO2为硅源,炭黑为碳源,Fe2 O3为催化剂,采用碳热还原法在氩气保护下制备SiC微粉,研究催化剂含量,合成温度对SiC生成,形貌的影响实验结果表明:在原料中添加Fe2 O3粉,1350℃保温3h就能产生SiC微粉;由X射线衍射分析显示,在1450℃下保温 2020年7月20日 碳化硅粉体制备工艺有多种，各种合成方法中碳热还原法所需的原料价格较低、生产的产品质量合格率较高、可以大批量的生产，在碳化硅的制备领域占据着重要地位。 碳化硅粉体的制备方法有多种，按初始原料的物质状态大致可分为固相法、液相法和气相法 碳化硅的制备方法
碳化硅的制备及应用最新研究进展 ResearchGate
2022年5月20日 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机 械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对 SiC 粉体的制备、碳化硅2009年11月11日 碳化硅纳米线已在 1400 摄氏度下通过二氧化硅与竹炭在常压下无金属催化剂的碳热还原合成。X射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散光谱、透射电子显微镜和傅里叶变换红外光谱被用来表征碳化硅纳米线。结果表明碳化硅纳米线具有核壳结构并沿方 通过二氧化硅的碳热还原合成碳化硅纳米线及其光致发光性能
合成温度对碳热还原法合成碳化硅晶须形貌的影响 百度学术
以SiO2微粉为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法分别在1500℃、1550℃、1600℃制备了SiC晶须。 通过扫描电镜,电子探针和透射电镜等分析手段,研究了合成温度对SiC晶须形貌的影响,探讨了晶须的生长机理。 结果表明:当合成温度为1500℃时,所合成 2016年2月19日 各种类型的二氧化硅/碳（SiO 2 / C）复合材料的磁热还原已经常用于合成硅/碳（Si / C）复合材料和碳化硅（SiC）材料，这些材料在锂的研究领域中非常重要离子电池（LIB）和非金属氧化物陶瓷。然而，到目前为止，尚未完全理解如何通过镁热还原由组成相同的母体材料（SiO 2 / C）产生完全不同的Si或 结晶相的变化：通过使用二氧化硅/碳复合材料的镁热还原来
高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学
2020年8月21日 一、SiC粉体合成方法 SiC粉体的合成方法多种多样，总体来说，大致可以分为三种方法。 种方法是固相法，其中具有代表性的有碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法;第二种方法是液相法，其中具有代表性的方法主要是溶胶—凝胶法和聚合物热 2015年5月1日 摘要 提出了一种改进的溶胶凝胶法制备碳化硅超细粉体。在该方法中，四乙氧基硅烷 (TEOS) 和蔗糖用于制备二元碳质硅干凝胶，硝酸铁在溶胶凝胶工艺中用作催化剂。溶胶凝胶和碳热还原法合成和表征碳化硅超细颗粒,Ceramics
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2024年2月11日 本研究提出了一种通过碳热还原工艺从镍铁渣酸浸渣中制备碳化硅（SiC）的创新工艺。结果表明，酸浸渣无定形二氧化硅含量高达8420%，粒径细小，d50 = 2916 μm，是制备SiC的理想硅源。与炭黑、活性炭、石墨相比，焦炭是更适合制备SiC的碳
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